半绝缘型SiC衬底具有较高的电阻率,常用于氮化镓异质外延、以HEMT为代表的射频器件兼备了碳化硅
良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势,广泛应用于5G基站等新一代通信领域。
半绝缘型碳化硅衬底材料还具备优良的光学性能,12英寸衬底在AR眼镜等光学和穿戴电子领域有着广阔的应用前景。
基本信息
6英寸
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直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
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表面取向 {0001}±0.2°
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主参考面取向 /
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副参考面取向 /
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主参考边长度 Notch
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副参考边长度 无参考副边
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Notch边取向 <1100>±1.0°
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Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm
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Notch边角度 90°+5°/-1°
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厚度 500.0um士25.0um
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导电类型 半绝缘
基本信息
8英寸
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直径 200.0mm+0mm/-0.5mm
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表面取向 {0001}±0.2°
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主参考面取向 /
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副参考面取向 /
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主参考边长度 Notch
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副参考边长度 无参考副边
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Notch边取向 <1100>±1.0°
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Notch边深度 距边1.0mm+0.25mm/-0.00mm
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Notch边角度 90°+5°/-1°
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厚度 500.0um士25.0um
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导电类型 半绝缘
