天岳先进此次IPO港股全球发售4774.57万股H股，占发行后总股本的10%。其中香港发售股份238.73万股，占比5%；国际发售股份4535.84万股，占比95%，并另设15%的超额配股权，对应716.18万股。发行价为每股42.80港元。本次港股发行的孖展倍数超2800倍，融资申购额近2500亿港元。如此之高的融资申购倍数，显示了资金对天岳先进新股抱以极高的热情，也凸显资本市场对碳化硅行业的高度关注和认可。

天岳先进自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底的商业化的公司之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。根据权威行业调研机构日本富士经济报告测算，在2024年全球导电型碳化硅衬底材料市场的竞争格局中，天岳先进凭借22.80%的市场份额，稳居全球第二大碳化硅衬底制造商之位，其公司品牌与产品在国际市场已树立起颇高的知名度。本次港股上市是公司国际化战略的重要举措。募资的一部分将用于海外产能建设，持续绑定海外龙头客户的战略规划；一部分将投入大尺寸产品的进一步研发，确保技术代际领先。通过香港资本市场平台，公司将进一步提升国际知名度，拓宽融资渠道，为后续技术研发和海外市场拓展提供资金支持。

硬核科技铸就成长基石

碳化硅衬底尺寸是衡量技术领先的重要指标，大尺寸发展是必然方向。公司已实现8英寸导电型衬底的批量供应并率先实现海外客户批量销售，占据先发优势。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。2024年11月，公司推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。

不仅如此，公司在衬底技术展开多维度突破，目前已向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。另外，公司还是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。

公司凭借其在碳化硅衬底材料技术上取得的革命性突破，荣获由日本权威半导体媒体《电子器件产业新闻》颁发的“半导体电子材料”类金奖。这是中国企业在该奖项设立31年以来的首次问鼎，也是该奖项历史上首次将最高荣誉授予碳化硅衬底材料技术，标志着中国在半导体关键基础材料领域实现了历史性的重大突破，彰显了中国新一代半导体材料技术的国际领先地位。

多个万亿级赛道提供长坡厚雪

根据弗若斯特沙利文的资料，以销售收入计，全球碳化硅衬底市场由2019年的人民币26亿元 增长至2023年的人民币74亿元，复合年增长率为29.4%。预计到2030年，市场规模将有望增长至人民币664亿元，复合年增长率为39.0%。整个碳化硅衬底行业将保持持续快速增长。

碳化硅在下游新能源汽车、光伏发电、储能、AI等应用领域的加速渗透，推动整体市场规模不断扩大。目前来看，碳化硅下游需求近80%为新能源汽车。在新能源汽车领域，随着800V平台普及，碳化硅器件在电驱系统的渗透率将持续提升。华泰证券预计到2025年，全球新能源车消耗SiC衬底数量将达199.6万片/年。天岳先进作为行业龙头，与全球汽车电子厂商英飞凌和博世等均有长期的战略合作，未来将明显受益于相关领域发展。

除了推动碳化硅在成熟行业的渗透率不断提升，天岳先进还积极布局AI数据中心和AR眼镜领域等新兴应用领域。

AI数据中心领域，天岳先进正悄然为AI数据中心的升级变革注入强大动力。传统的数据中心电源系统在应对AI算力爆发式增长时，能耗高、散热难等问题逐渐凸显。AI服务器的功率密度不断攀升，传统硅基功率半导体已难以满足需求，而碳化硅凭借其宽禁带特性，成为了解决这些问题的“金钥匙”。天岳先进的产品已被广泛应用于英伟达等行业巨头的数据中心电源系统中，成为了AI算力基础设施的重要组成部分。随着英伟达800V HVDC数据中心电源架构的推出，天岳先进的碳化硅产品有望快速放量。

在AR眼镜领域，公司12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底作为高端光波导核心材料，实现了轻量化与高透光度突破，同时也有效降低了碳化硅镜片成本，为规模化生产提供关键支撑。目前已成功进入AR眼镜供应链，和多家全球同步光学领域厂商建立了合作关系。

全球化布局显著抬升成长天花板