在新能源革命与全球产业链重构的双重驱动下，以碳化硅为核心的第三代半导体，正经历一场从技术攻坚到市场爆发的“临界点跃迁”

国际权威机构Yole报告数据显示,全球碳化硅功率器件市场规模预计将从2021年10.9亿美元增长至2027年62.97亿美元,年均复合增长率达34%。值得关注的是，天岳先进率先推出全系列12英寸碳化硅衬底产品，意味着碳化硅将在高压大功率领域展现出极为广阔的应用前景，碳化硅产业链热潮有望持续。

随着全球对能源效率和高性能电子设备需求的不断增长，从电动汽车到5G通信基站，从智能电网到光伏储能，从工业自动化设备到数据中心，碳化硅器件在这些相关产业升级需求的带动下，应用领域不断拓展。

中国能源资源与用电负荷呈现典型的"逆向分布"格局：西部、北部地区集中了全国80%以上的风能和太阳能资源，东部沿海地区消耗了全国70%以上的电力负荷，现有电网输电能力与新能源消纳需求存在巨大缺口。

在中国"西电东送"的能源战略版图中，特高压电网承担着电力输送大动脉的关键角色。特高压系统（如±800kV及以上直流输电）要求单个功率器件具备超高耐压能力（10kV以上）。传统硅基器件难以满足，而SiC的临界击穿电场（~3MV/cm，10倍于硅）可大幅提升器件耐压等级。

近日，中国电机工程学会电力系统电力电子器件专委会主任委员邱宇峰在接受央媒《经济日报》采访时表示，“作为成熟的第三代半导体材料，碳化硅取代现行的硅基是必然趋势。碳化硅产业会有两波应用浪潮，第一波在电动汽车领域，第二波在电网领域。可以肯定的是，碳化硅在电网上的需求将堪比新能源汽车。”

“不过，碳化硅器件在应用上的短板，对我国碳化硅产业链的完整性产生了直接影响。”国家电网中国电力科学研究院电力电子所副总工程师杨霏说，碳化硅器件在电网应用仍处于示范工程阶段，随着碳化硅产业对新能源汽车、智能电网等渗透率持续提升，这一市场需求有望加快打开。“随着分布式电源进入配网并形成有源配网后，电力电子技术将成为新型电力系统刚需。一旦变成刚需，电网对碳化硅器件的需求量，较现在将呈现出数量级的大幅增长”。

据悉，万伏千安级碳化硅器件正在加快研发，在近年内实现样品研制后将逐步进入商业化批量应用，届时国产碳化硅器件有望全面覆盖高压输电领域，以产能与技术的“双向奔赴”推动新型电力系统建设。

Yole数据也显示，2029年全球碳化硅功率器件市场规模将达到98.73亿美元，其中AI算力电源、智能电网将成为千亿级增量市场。

目前基于量产的n型碳化硅衬底制备的单极型MOSFET器件主要用于600-1200V的中压应用场景，对于特高压系统10kV以上的耐压器件，p型碳化硅衬底制备的双极型IGBT器件具有巨大的应用潜力。另外，基于p型衬底的SiC IGBT模块，可减少50%串联器件数量，降低换流阀损耗40%以上。这种本质性的性能提升，单条特高压直流线路年节电可超1亿度。

我国已在n型碳化硅衬底领域取得重要进展，p型衬底因其特殊的掺杂工艺和技术门槛，尚处于产业化黎明期。

在SEMICON China2025展会上，天岳先进全方位展示了6/8/12英寸碳化硅衬底产品矩阵,包括12英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底、12英寸导电p型及12英寸n型碳化硅衬底。

天岳先进在p型重掺杂、大尺寸碳化硅衬底制备等关键技术上已取得系列突破，并稳固掌握晶体生长、缺陷控制、加工检测及部件自制等全技术链条。 

随着碳化硅行业全面迈入“12英寸新时代”，碳化硅器件也将在光伏储能等清洁能源、5G通讯及高压智能电网等产业应用上迎来快速发展。天岳先进以硬核技术助力行业打破国外企业在特高压核心器件领域的垄断，破解"卡脖子"难题，实现特高压核心器件完全自主化，为中国能源革命提供关键的"硬支撑"，实现"双碳"目标下的电力系统转型升级。