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6英寸-导电型碳化硅衬底材料
山东天岳独立自主开发了6英寸N型碳化硅衬底,产品采取国际惯例的单一定位边加工,厚度为350±25微米,每平方厘米微管密度小于1个。目前产品正处在工艺固化阶段,量产时间以及样品详情,欢迎联系我们 +参数下载
    发光二极管(LED)是利用半导体中电子与空穴复合发光的一种电子元器件,是一种节能环保的冷光源。SiC材料具有与GaN晶格失配小、热导率高、器件尺寸小、抗静电能力强、可靠性高等优点,是GaN系外延材料的理想衬底,由于其良好的热导率,解决了功率型GaN-LED器件的散热问题,特别适合制备大功率的半导体照明用LED,这样大大提高了出光效率,又能有效的降低能耗。
    以SiC为代表的第三代半导体具有禁带宽、热导率高,击穿场强高,饱和电子漂移速率高,化学性能稳定,硬度高,抗磨损,高键和高能量以及抗辐射等优点,可广泛用于制造高温,高频,高功率,抗辐射,大功率和高密集集成电子器件,用SiC衬底开发的电力电子器件(SBD、MOSFET、IGBT、BJT、JFET等)用在输变电、风力发电、太阳能、混合动力汽车等电力电子领域,降低电力损失,减少发热量,高温工作,提高效率,增加可靠性
    SiC作为一种宽带隙的半导体材料,同时还具有较宽的工作频带,(0~400GHz),加之其优异的高温特性,高击穿电场,高热导率和电子饱和速率等特性,在微波通讯领域也占有一席之地。实现了通讯器件的高效能,高机动,高波段和小型化的,特别是在X波段以上的T/R组件,在5G通讯基站中的应用备受关注。
    碳化硅衬底材料
    碳化硅衬底材料,致力于宽禁带功率半导体产业链的开发;经过近8年的发展
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