品质提升
【MPD】

从2014年到2017年上半年,晶片MPD在逐年降低,并且越来越稳定,表明微管缺陷在长晶过程中得到了相当好的控制,晶片质量得到相应的提高。
2017年
整体衬底PMD平均控制在1.5个/cm2
U级产品为0.1个/cm2

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品质提升
【电阻率】

2014年到2017年上半年,N型电阻率有明显的降低,说明电阻率质量情况在逐年改善和提高。半绝缘晶片的电阻率稳定在1E12 Ω ·cm以上,达到较高质量要求,现不予统计分析。

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品质提升【面型】

晶片的TTV、Warp、Bow三项加工参数在逐年降低,Warp值尤其明显,并且数值在同年内的变化幅度越来越小,说明加工稳定性越来越强,在2017年上半年呈现出良好的质量稳定性。
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